| 型号：SIE816DF-T1-GE3 | 类别：FET - 单 | 制造商：Vishay Siliconix |
| 封装：10-PolarPAK?（L） | 描述：MOSFET N-CH D-S 60V POLARPAK | |
详细参数
| 类别 | FET - 单 |
|---|---|
| 描述 | MOSFET N-CH D-S 60V POLARPAK |
| 系列 | TrenchFET® |
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| FET型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 60V |
| 电流_连续漏极（Id）0a025000C | 60A |
| 开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 7.4 毫欧 @ 19.8A，10V |
| Id时的Vgs（th）111最大222 | 4.4V @ 250µA |
| 闸电荷（Qg）0a0Vgs | 77nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）0a0Vds | 3100pF @ 30V |
| 功率_最大 | 125W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 10-PolarPAK?（L） |
| 供应商设备封装 | 10-PolarPAK?（L） |
| 包装 | 带卷 (TR) |
供应商
| 深圳市科雨电子有限公司 | 汪小姐，15173547089，无线联通更快捷！171-4729-1886（微信同号） |
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